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关于晶体管on时的逆向电流

在npn晶体管中,基极 (b) 被偏置为正,集电极 (c) 被偏置为负,由发射极 (e) 流向c的是逆电流。

1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的

2. npn-tr的b和c对称、和e极同样是n型。
也就是说,逆接c、e也同样有晶体管的功效。即电流由e→c流动。

3. 逆向晶体管有如下特点。

  • hfe低(正向约10%以下)
  • 耐压低 (7 to 8v 与vebo一样低)
    ↑通用tr的情况,除此之外,还有5v以下
    (突破此耐压范围,会发生hfe低下等特性的劣化,请注意。)
  • vce(sat)及vbe(on)的特性没有太大的变化

关于封装功率容许功

定义:是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时,结温tj为绝对最大额定值限定的温度(tj=150°c)时的功率。

这里,pc、ta、△tx、px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出,但是只有tj不能直接得出。因此,如下列出使用vbe的测试方法。

vbe测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压:vbe根据温度变化。

图1. 热电阻测量电路

由此,通过测定vbe,可以推测结温。
通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:pc(max)
(假设1w晶体管的情况下,输入条件为vcb=10v ie=100ma)

如图2:

  • 测定vbe的初始值vbe1
  • 对晶体管输入功率,使pn结热饱和
  • vbe的后续值:测定vbe2

从这个结果得出△vbe=vbe2-vbe1

这里,硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mv/ºc。
(达林顿晶体管为ー4.4mv/ºc)
因此,根据由输入功率得出△vbe,可以由以下算式得出上升的结温。

图2. 进度表

ft:增益带宽积、截止频率

ft:增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。
所谓极限,即基极电流对集电极电流的比为1(即hfe=1)的情况。

提高基极输入频率,hfe变低。
这时,hfe为1时的频率叫做ft(增益带宽积)。
ft指在该频率下能够工作的极限值。
但是,实际使用时能够动作的只有ft值的1/5 to 1/10左右。

测定条件如下
f: 根据测定装置而定。为测定的标准频率。
vce:任意设定。我公司为一般值。
ic:任意设定。我公司为一般值。

晶体管数据表下载

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