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  4. 总栅极电荷(qg)

何谓总栅极电荷(qg)-凯发k8一触即发

何谓总栅极电荷(qg)?

"总栅极电荷(qg)是指为导通(驱动)mosfet而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。"
单位为库仑(c),总栅极电荷值较大,则导通mosfet所需的电容充电时间变长,开关损耗增加。数值越小,开关损耗(切换损耗)越小,从而可实现高速开关。

总栅极电荷和导通电阻

如上所述,总栅极电荷的值越小,开关损耗越小。而且,导通电阻值越小,工作时的功耗越小。
然而,总栅极电荷和导通电阻的特性处于权衡关系。
通常,mosfet的芯片尺寸(表面积)越小,总电荷量越小,但导通电阻值会变大。
换句话说,开关损耗与工作时的功耗之间存在权衡关系。

动态输入特性

【动态输入特性】

该图为动态输入(qg –vgs)的特性例。
在图中,常温下的漏极侧电源电压(vdd )和漏极电流(id )是固定特性, vdd = 300 v , id = 30a 时所需的最小电荷量约为60nc。此时的栅源电压 (vgs ) 为6.5v。
实际上是在mosfet完全导通的情况下,调整有权衡关系的导通电阻值,从而设定栅源电压(vgs ) 。
此时,可从图表读取设定电压和总栅极电荷(qg)(例如, vgs = 10 v 时为85nc , vgs = 15v 时为 130nc )。

mosfet数据表下载

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