rohm开始量产具有业界超高性能的650v耐压gan hemt！-凯发k8一触即发

2023年5月16日

全球知名半导体制造商rohm（以下简称“rohm”）将650v耐压的gan（gallium nitride：氮化镓）hemt*1“gnp1070tc-z”、“gnp1150tca-z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和ac适配器等各种电源系统。

据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，sic（silicon carbide：碳化硅）和gan等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，rohm将栅极耐压高达8v的150v耐压gan hemt投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出gan性能的控制ic技术。此次，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，rohm又推出器件性能达到业界超高水平的650v耐压gan hemt。

新产品是rohm与delta electronics, inc.（以下简称“台达电子”）的子公司——专注于gan元器件开发的ancora semiconductors inc.（以下简称“碇基半导体”）联合开发而成的，在650v gan hemt的器件性能指数（rds（on）×ciss / rds（on）×coss*2）方面，达到了业界超高水平。因此，新产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，新产品还内置esd*3保护器件，将抗静电能力提高至3.5kv，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，新产品还具有gan hemt器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。

新产品已于2023年4月起投入量产（样品价格 5,000日元/个，不含税），并已开始网售，通过、等电商平台均可购买。

rohm将有助于应用产品的节能和小型化的gan器件命名为“ecogan™系列”，并不断致力于进一步提高器件的性能。另外，除了元器件的开发，rohm还积极与业内相关企业建立战略k8凯发的合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。

 

＜什么是ecogan™＞

ecogan™是通过更大程度地发挥gan的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的rohm gan器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。

・ecogan™是rohm co., ltd.的商标或注册商标。

＜产品阵容＞

产品型号 数据表 漏-源电压
vdss[v]		 漏极电流
id[a]
tc=25℃		 漏-源导通电阻
rds(on) (typ.)
[mω]		 栅极
电荷总量
qg (typ.)
[nc]		 输入电容
ciss (typ.)
[pf]		 输出电容
coss (typ.)
[pf]		 封装名称
[mm]
gnp1070tc-z 650 20 70 5.2 200 50 dfn8080k
[8.0×8.0×0.9]
gnp1150tca-z 11 150 2.7 112 19 dfn8080ak
[8.0×8.0×0.9]

＜应用示例＞

包括服务器和ac适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统

＜电商销售信息＞

起售时间：2023年4月开始
电商平台：、
新产品在其他电商平台也将逐步发售。

1枚起售

＜关于ancora semiconductors inc.（碇基半导体）＞

碇基半导体成立于2022年7月，是全球电源管理和变压器厂商——台湾台达电子（delta electronics, inc.）的子公司，主要从事gan元器件的开发。如欲了解关于碇基半导体的更多信息，请访问公司凯发k8一触即发官网：

＜术语解说＞

*1) gan hemt
gan（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。
hemt是high electron mobility transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。
*2) rds（on）×ciss / rds（on）×coss
是用来评估器件性能的指标，其中ciss是指从输入端看的总电容，coss是指从输出端看的总电容。
该值越低，开关速度越快，开关时的损耗越小。
*3) esd（electro-static discharge：静电放电）
当人体和电子设备等带电物体相互接触时会产生静电。这种静电会导致电路和设备发生误动作甚至损坏。